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产品[松下HG-C系列CMOS型微型激光位移传感器 HG-C1050]资料
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如果您对该产品感兴趣的话,可以
产品名称:
松下HG-C系列CMOS型微型激光位移传感器 HG-C1050
产品型号:
产品展商:
日本神视SUNX/Panasonic
简单介绍
松下HG-C系列CMOS型微型激光位移传感器 HG-C1050
全新原装松下HG-C系列CMOS型微型激光位移传感器 HG-C1050
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松下HG-C系列CMOS型微型激光位移传感器 HG-C1050的详细介绍
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松下HG-C系列CMOS型微型激光位移传感器 HG-C1050
种类
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测量中心距离30mm型
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测量中心距离50mm型
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测量中心距离100mm型
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型
号
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NPN
输出
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HG-C1030
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HG-C1050
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HG-C1100
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PNP
输出
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HG-C1030-P
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HG-C1050-P
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HG-C1100-P
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符合规则
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EMC适合指令、FDA规则
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测量中心距离
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30mm
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50mm
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100mm
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测量范围
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±5mm
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±15mm
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±35mm
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重复精度
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10μm
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30μm
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70μm
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直线性
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±0.1% F.S.
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温度特性
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0.03% F.S./℃
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光源
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红色半导体激光 2级(JIS/IEC/GB)/Ⅱ级(FDA)(注2)
咀大输出:1mW、投光波峰波长:655nm
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光束直径
(注3)
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约ø50μm
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约ø70μm
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约ø120μm
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电源电压
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12~24V DC±10% 脉动P-P10%以下
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消耗电流
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40mA以下(电源电压24V DC时、60mA以下(电源电压12V DC时)
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控制输出
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〈NPN输出型〉
NPN开路集电极晶体管
・ 咀大流入电流:50mA
・ 外加电压:30V DC以下(控制输出-0V之间)
・ 剩余电压:1.5V以下(流入电流50mA时)
・ 漏电流:0.1mA以下
〈PNP输出型〉
PNP开路集电极晶体管
・ 咀大源电流:50mA
・ 外加电压:30V DC以下(控制输出-+V之间)
・ 剩余电压:1.5V以下(流出电流50mA时)
・ 漏电流:0.1mA以下
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输出动作
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入光时ON/非入光时ON 可切换
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短路保护
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配备(自动恢复)
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模拟输出
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・输出范围:0~5V(正常时),5.2V(报警时)
・输出阻抗:100Ω
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反应时间
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1.5ms/5ms/10ms 可切换
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外部输入
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〈NPN输出型〉
NPN无接点输入
・输入条件
无效:+8~+V DC或开路
有效:0~+1.2V DC
・输入阻抗:约10kΩ
<PNP输出型>
PNP无接点输入
・输入条件
无效:0~+0.6V DC或开路
有效:+4~+V DC
・ 输入阻抗:约10kΩ
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污损度
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2
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使用标高
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2,000m以下
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耐环境性
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保护构造
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IP67(IEC)
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使用环境
温度
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-10~+45℃(注意不可结露、结冰)、存储时20~+60°C
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使用环境
湿度
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35%RH~85%RH,存储时:35%RH~85%RH
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使用环境
照度
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白炽灯:受光面照度3,000 lx以下
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电缆
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0.2mm2 5芯复合电缆,长2m
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材质
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本体外壳:压铸铝 前罩:丙烯基
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重量
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本体重量:约35g(不含电缆),约85g(含电缆)
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(注1):
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未指定测量条件时,使用条件如下:电源电压:24V DC 环境温度:+20℃ 响应时间:10ms、测量中心距离的模拟输出值。对象物体:白色陶瓷。
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(注2):
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根据FDA规则中Laser Notice No.50规定,并以FDA为准。
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(注3):
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测量中心距离的大小。按照中心光强度的1/e2(约13.5%)定义。
如果定义区域外有漏光,并且检测点范围有高于检测点本身的强反射,测定结果可能会受到影响。
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