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产品[松下HG-C系列CMOS型微型激光位移传感器 HG-C1050]资料
如果您对该产品感兴趣的话,可以
产品名称: 松下HG-C系列CMOS型微型激光位移传感器 HG-C1050
产品型号:
产品展商: 日本神视SUNX/Panasonic
简单介绍
松下HG-C系列CMOS型微型激光位移传感器 HG-C1050 全新原装松下HG-C系列CMOS型微型激光位移传感器 HG-C1050
松下HG-C系列CMOS型微型激光位移传感器 HG-C1050的详细介绍

松下HG-C系列CMOS型微型激光位移传感器 HG-C1050


种类

测量中心距离30mm型

测量中心距离50mm型

测量中心距离100mm型


NPN
输出

HG-C1030

HG-C1050

HG-C1100

PNP
输出

HG-C1030-P

HG-C1050-P

HG-C1100-P

符合规则

EMC适合指令、FDA规则

测量中心距离

30mm

50mm

100mm

测量范围

±5mm

±15mm

±35mm

重复精度

10μm

30μm

70μm

直线性

±0.1% F.S.

温度特性

0.03% F.S./℃

光源

红色半导体激光 2级(JIS/IEC/GB)/Ⅱ级(FDA)(注2)
咀大输出:1mW、投光波峰波长:655nm

光束直径
(注3)

约ø50μm

约ø70μm

约ø120μm

电源电压

12~24V DC±10% 脉动P-P10%以下

消耗电流

40mA以下(电源电压24V DC时、60mA以下(电源电压12V DC时)

控制输出

 

〈NPN输出型〉
NPN开路集电极晶体管
・ 咀大流入电流:50mA
・ 外加电压:30V DC以下(控制输出-0V之间)
・ 剩余电压:1.5V以下(流入电流50mA时)
・ 漏电流:0.1mA以下

〈PNP输出型〉
PNP开路集电极晶体管
・ 咀大源电流:50mA
・ 外加电压:30V DC以下(控制输出-+V之间)
・ 剩余电压:1.5V以下(流出电流50mA时)
・ 漏电流:0.1mA以下

输出动作

入光时ON/非入光时ON 可切换

短路保护

配备(自动恢复)

模拟输出

・输出范围:0~5V(正常时),5.2V(报警时)
・输出阻抗:100Ω

反应时间

1.5ms/5ms/10ms 可切换

外部输入

〈NPN输出型〉
NPN无接点输入
・输入条件
无效:+8~+V DC或开路
有效:0~+1.2V DC
・输入阻抗:约10kΩ

<PNP输出型>
PNP无接点输入
・输入条件
无效:0~+0.6V DC或开路
有效:+4~+V DC
・ 输入阻抗:约10kΩ

污损度

2

使用标高

2,000m以下

耐环境性

保护构造

IP67(IEC)

使用环境
温度

-10~+45℃(注意不可结露、结冰)、存储时20~+60°C

使用环境
湿度

35%RH~85%RH,存储时:35%RH~85%RH

使用环境
照度

白炽灯:受光面照度3,000 lx以下

电缆

0.2mm2 5芯复合电缆,长2m

材质

本体外壳:压铸铝 前罩:丙烯基

重量

本体重量:约35g(不含电缆),约85g(含电缆)

 

(注1):

未指定测量条件时,使用条件如下:电源电压:24V DC 环境温度:+20℃ 响应时间:10ms、测量中心距离的模拟输出值。对象物体:白色陶瓷。

(注2):

根据FDA规则中Laser Notice No.50规定,并以FDA为准。

(注3):

测量中心距离的大小。按照中心光强度的1/e2(约13.5%)定义。
如果定义区域外有漏光,并且检测点范围有高于检测点本身的强反射,测定结果可能会受到影响。





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